Консультация по телефону +7 (343) 302-00-16
с 9:00 до 20:00
Без выходных
0
Корзина
Сумма:0
Корзина пуста
Каталог > 15 000 товаров
Найти
Каталог > 15 000 товаров
Сумма:0
Корзина пуста
[]

Биполярные (BJTs)

Что такое биполярный транзистор?

Биполярный транзистор — это устройство, занимающее ключевое место в мире современной электроники, открывающее двери в мир управления электрическими сигналами. Он состоит из трёх основных слоёв полупроводникового материала: эмиттера, базы и коллектора. Эти слои формируют два p-n перехода, которые служат основой для работы транзистора.

Структура биполярного транзистора

  1. Эмиттер (Emitter): Этот слой, обычно насыщенный большим количеством примесей, отвечает за инжекцию носителей заряда (электронов или дырок) в базу. Эмиттер имеет ключевую роль в определении эффективности и производительности транзистора.
  2. База (Base): Самый тонкий слой из трех, база составляет сердцевину транзистора. Она служит своеобразным 'контрольным пунктом', через который проходят носители заряда, поступающие из эмиттера. Управление током через базу позволяет регулировать ток, проходящий через весь транзистор.
  3. Коллектор (Collector): Этот слой, чаще всего сделанный из того же материала, что и эмиттер, но с меньшим количеством примесей, 'собирает' носители заряда, прошедшие через базу. Размер коллектора обычно больше, чем у эмиттера, что способствует эффективному улавливанию носителей заряда.

Эффективность биполярного транзистора зависит от тонкого баланса между этими тремя слоями и их взаимодействием. Точная дозировка примесей и контроль толщины каждого слоя позволяют достичь нужных характеристик транзистора, таких как усиление сигнала, скорость переключения и максимально допустимый ток.

Принцип работы биполярного транзистора

Ключевым элементом работы транзистора является его способность контролировать поток электронов (или дырок) через эти слои. Когда на базу подается управляющий сигнал (например, небольшое напряжение), это создает условия для того, чтобы электроны или дырки могли легко переходить через p-n переходы, тем самым управляя током, который течет через всю структуру транзистора - от эмиттера к коллектору.

Эта способность управлять большим током при помощи малого входного сигнала делает биполярный транзистор невероятно полезным во многих электронных устройствах, от микросхем усилителей до систем управления мощностью. Транзисторы могут работать в различных режимах, включая усиление сигнала (когда они усиливают входной сигнал) или в качестве переключателя (когда они полностью открываются или закрываются в ответ на управляющий сигнал).

Интересный факт о биполярных транзисторах заключается в их способности работать в экстремальных условиях, включая высокие температуры и радиационные воздействия, что делает их идеальными для использования в космических и военных приложениях.

Типы биполярных транзисторов

  1. NPN Транзисторы: В этих транзисторах два слоя n-типа полупроводника размещаются по обе стороны от слоя p-типа. Основная особенность — протекание основного тока от коллектора к эмиттеру за счет движения электронов. NPN транзисторы широко используются из-за их более высокой эффективности и скорости работы по сравнению с PNP транзисторами.
  2. PNP Транзисторы: Устройство PNP транзистора противоположно NPN транзистору. Здесь два слоя p-типа полупроводника окружают слой n-типа. Основное направление тока — от эмиттера к коллектору, а основными носителями заряда являются дырки. PNP транзисторы часто используются в схемах, где необходимо обратное направление тока.
  3. Гетероструктурные биполярные транзисторы (HBT): Это разновидность биполярных транзисторов, где используются разные полупроводниковые материалы для эмиттера и базы, что позволяет достигать более высоких рабочих частот и эффективности. HBT транзисторы находят применение в высокочастотных и оптоэлектронных устройствах.
  4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT): Эти транзисторы сочетают в себе преимущества полевых транзисторов и биполярных транзисторов, обеспечивая высокую мощность и скорость переключения. IGBT часто используются в силовой электронике, например, в инверторах и системах управления электродвигателями.
  5. Фототранзисторы: Это специализированный тип биполярных транзисторов, чувствительных к свету. Они используются для обнаружения световых сигналов и находят применение в оптронных устройствах, сенсорах освещенности и системах безопасности.
  6. RF Транзисторы: Эти биполярные транзисторы оптимизированы для работы на радиочастотах. Они имеют меньшие размеры и специальную конструкцию, что позволяет им эффективно работать на высоких частотах. RF транзисторы широко используются в радиопередатчиках, мобильной связи и радарной технике.

Каждый тип биполярных транзисторов обладает своими уникальными свойствами и предназначен для решения специфических задач в различных областях электроники. От выбора типа транзистора зависит функциональность и эффективность электронных схем и устройств.

Основные параметры биполярных транзисторов

  1. Коэффициент усиления по току (hFE): Это один из самых важных параметров, который определяет, насколько эффективно транзистор может усиливать ток.
  2. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Vceo): Этот параметр важен для понимания максимального напряжения, которое транзистор может выдержать между коллектором и эмиттером без повреждения.
  3. Ток коллектора (Ic): Важно описать, как максимальный ток коллектора влияет на выбор транзистора для конкретного приложения.
  4. Частотные характеристики: Здесь можно упомянуть о предельной частоте усиления мощности и о том, как частотные характеристики влияют на использование транзистора в различных устройствах.
  5. Температурный диапазон работы: Обсудить, как температура влияет на производительность транзистора и его надежность.
  6. Тепловое сопротивление корпуса: Это поможет понять, насколько хорошо транзистор может рассеивать тепло во время работы.
  7. Насыщение: Объяснить, что такое насыщение в контексте биполярных транзисторов и почему это важно.
  8. Переключательные характеристики: Подробно рассмотреть, как биполярные транзисторы функционируют в переключательных режимах.
  9. Уровень шума: Необходимо упомянуть, как биполярные транзисторы влияют на уровень шума в схемах, где это критично.

9000513498
Central Semiconductor Corp
2N1711, Транзистор BJT NPN 50В 0.5А 3Вт [TO-39]
0 гр.
290 ₽
9000609672
Central Semiconductor Corp
2N2219A, Транзистор NPN 75В 0.6А [TO-39]
0 гр.
340 ₽
16099
Нет торговой марки
2N2222A metal, Транзистор NPN 75В 0.6А [TO-18]
0 гр.
91 ₽
9000685938
NTE Electronics
2N2222A PBFREE, Транзистор NPN 50В 0.8А [TO-18]
0 гр.
160 ₽
9000609670
Central Semiconductor Corp
2N2905A, Транзистор PNP 60В 0.6А [TO-39]
0 гр.
270 ₽
9000697896
NTE Electronics
2N2907A, Транзистор PNP 60В 0.6А [TO-18]
0 гр.
280 ₽
9000497919
Inchange Semiconductor
2N3055, Транзистор биполярный, NPN 60В 15А 100Вт 3Мгц [TO-3] ( = КТ819AM...ГМ)
18 гр.
170 ₽
9000417428
ON Semiconductor
2N3055G, Биполярный транзистор NPN 60V 15A, [TO-3]
18 гр.
360 ₽
9000609673
Central Semiconductor Corp
2N3439, Транзистор NPN 350В 1А [TO-39]
0 гр.
340 ₽
61066
ON Semiconductor
2N3773G, Транзистор NPN 150Вт 4МГц [TO-3]
0 гр.
540 ₽
8001851481
CJ
2N3904, Биполярный транзистор
0 гр.
13 ₽
20410
Diotec Semiconductor
2N3904, Транзистор NPN 40В 0.2А 0.35Вт [TO-92 Ammo]
0 гр.
5 ₽
8008726535
ON Semiconductor
2N3904TA
0 гр.
4 ₽
25986
ON Semiconductor
2N3906BU, Транзистор PNP 40В 0.2А [TO-92]
0 гр.
6 ₽
61431
ON Semiconductor
2N4401BU, Транзистор NPN 60В 0.6А 0.625Вт [TO-92]
0 гр.
18 ₽
9000616831
Diotec Semiconductor
2N4403, Транзистор, PNP, 40В, 600мА [TO-92]
0 гр.
8 ₽
57601
ON Semiconductor
2N4403BU, Транзистор PNP 40В 0.6А [TO-92]
0 гр.
5 ₽
9110051695
Китай
2N5089G, Транзистор NPN 30В 0.1А 0.625Вт [TO-92]
0 гр.
24 ₽
59245
ON Semiconductor
2N5401YBU, Транзистор PNP 150В 0.6А 0.6Вт [TO-92] (2N5401)
0 гр.
18 ₽
9000609671
Central Semiconductor Corp
2N5416, Транзистор PNP 350В 1А [TO-39]
0 гр.
530 ₽
9000461376
Diotec Semiconductor
2N5551, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]
0 гр.
8 ₽
8001923602
ON Semiconductor
2N5551-YBU
0 гр.
2 ₽
9000321808
ON Semiconductor
2N5551BU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт 100МГц [TO-92]
0 гр.
10 ₽
30592
Fairchild Semiconductor
2N5551YBU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]
0 гр.
6 ₽
9000590399
Unisonic Technologies
2N6027G-T92-B, Транзистор однопереходный 40В 0.15A 0.3Вт [TO-92 Ammo]
0 гр.
77 ₽
9000497921
Inchange Semiconductor
2N6039, Транзистор биполярный, NPN Darlington 80В 4А 40Вт [TO-126]
0 гр.
59 ₽
2392515198
ON Semiconductor
2N6488G, Транзистор NPN 80В 15А [TO-220AB]
0 гр.
63 ₽
9000226029
ON Semiconductor
2N6491G, Транзистор PNP 15A 80V [TO-220AB]
0 гр.
56 ₽
9000387720
Fairchild Semiconductor
2N6517BU, Транзистор NPN 350В 0.5А [TO-92]
0 гр.
7 ₽
9000387721
ON Semiconductor
2N6520TA, Транзистор PNP 350В 0.5А [TO-92 Formed Leads]
0 гр.
18 ₽
8004320411
Diodes Incorporated
2N7002DW-7-F
0 гр.
6 ₽
9000567179
Inchange Semiconductor
2SA1013-Y, Биполярный транзистор, PNP, 160В, 1А, [TO-92]
0 гр.
16 ₽
46411
Toshiba
2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А, (=KSA1013), [TO-92MOD]
0 гр.
23 ₽
9000567180
Inchange Semiconductor
2SA1015-GR, Биполярный транзистор, PNP, 50В, 0.15А [TO-92]
0 гр.
12 ₽
60676
Toshiba
2SA1015-Y, Транзистор PNP 50В 0.15А [TO-92]
0 гр.
20 ₽
42692
Toshiba
2SA1020-Y (TE6.F.M), Транзистор PNP 50В 2А [TO-92MOD]
0 гр.
27 ₽
918851283
Rohm
2SA1037AKT146R, Транзистор PNP 50В 0.15А [TO-236]
0 гр.
10 ₽
9000514699
Inchange Semiconductor
2SA1145, Транзистор PNP -150В 0.05А 0.8Вт 200МГц [TO-92L]
0 гр.
32 ₽
35292
Toshiba
2SA1162-GR(TE85L,F, Транзистор PNP 50В 0.15А [TO-236-MOD]
0 гр.
8 ₽
81764450
Sanken Electric
2SA1208, Транзистор PNP 180В 0.07А [TO-92MOD]
0 гр.
32 ₽
9000215055
Toshiba
2SA1213-Y(TE12L,ZC, Транзистор PNP 50В 2А [SOT-89]
0 гр.
30 ₽
41669
Нет торговой марки
2SA1273(Y) (KTA1273), Транзистор PNP 30В 2А [TO-92MOD]
0 гр.
29 ₽
9000430222
Inchange Semiconductor
2SA1360, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-0.05А, Vceo=-150В, Vcbo=-150В, Pd=5Вт [TO-126]
0 гр.
50 ₽
7705
NEC
2SA1413-Z-E1, Транзистор PNP 600В 1A 10Вт 28МГц [TO-252]
0 гр.
83 ₽
57161
NEC
2SA1625, Транзистор PNP 400В 0.5A 0.75Вт [TO-92]
0 гр.
34 ₽
9000492000
Inchange Semiconductor
2SA1694, Транзистор биполярный, PNP -120В -8А 80Вт [TO-3PN]
0 гр.
170 ₽
9000663937
Inchange Semiconductor
2SA1837, Транзистор PNP 230В 1А [TO-220F]
0 гр.
72 ₽