Transistor Configuration
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-0,95 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальное рассеяние мощности
0.625 W
Максимальный пост. ток коллектора
200 mA
Минимальная рабочая температура
-55 C
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Производитель
ON Semiconductor
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor