Консультация по телефону +7 (343) 302-00-16
с 9:00 до 20:00
Без выходных
0
Корзина
Сумма:0
Корзина пуста
Каталог > 15 000 товаров
Найти
Каталог > 15 000 товаров
Сумма:0
Корзина пуста
[]

Микросхемы памяти

Принципы работы микросхем памяти

Микросхемы памяти - это ключевые компоненты в мире вычислительной техники и электроники. Они предоставляют хранение и доступ к данным в цифровой форме, необходимое для работы компьютеров, смартфонов, планшетов и многих других устройств. Принципы работы микросхем памяти охватывают несколько ключевых аспектов:

  1. Физическая структура: Микросхемы памяти могут быть выполнены в различных формах, таких как динамическая оперативная память (DRAM), статическая оперативная память (SRAM), флэш-память и другие. Каждая из них имеет свою уникальную физическую структуру, которая определяет, как данные хранятся и доступны.
  2. Биты и ячейки: Основными элементами микросхемы памяти являются биты и ячейки. Бит - это наименьшая единица данных, которую можно хранить, и он может иметь два состояния: 0 и 1. Ячейка представляет собой набор битов, и каждая из них имеет уникальный адрес, который используется для доступа к данным.
  3. Запись и чтение: Принцип записи данных в микросхему памяти варьируется в зависимости от типа памяти. Например, в DRAM данные записываются путем зарядки или разрядки емкости ячейки, в то время как в флэш-памяти данные записываются путем изменения заряда полупроводниковых ячеек. Чтение данных осуществляется путем считывания состояния битов из соответствующих ячеек.
  4. Адресация: Для доступа к данным микросхемы памяти используют адресацию. Каждая ячейка имеет уникальный адрес, который используется для идентификации конкретных данных. Адресация может быть прямой (когда адрес указывается явно) или косвенной (когда используется индекс или указатель).
  5. Управление доступом: Микросхемы памяти также могут иметь схемы управления доступом, которые определяют, кто и как может читать и записывать данные. Это важно для обеспечения безопасности и конфиденциальности данных.
  6. Скорость и ёмкость: Каждый тип микросхемы памяти имеет свои характеристики скорости доступа и ёмкости хранения. Например, SRAM быстрее, но менее плотно упакована по сравнению с DRAM. Флэш-память имеет высокую ёмкость и долговечность, но медленнее, чем SRAM или DRAM.
  7. Использование в иерархии памяти: Микросхемы памяти используются в разных уровнях иерархии памяти компьютерной системы. Они обеспечивают быстрый доступ к данным, которые часто используются, и обеспечивают более высокую производительность в сочетании с другими видами памяти, такими как кэш и жесткие диски.

Типы микросхем памяти

Существует множество различных типов микросхем памяти, каждый из которых обладает своими уникальными характеристиками и применениями:

  1. DRAM (Dynamic Random-Access Memory): Этот тип памяти является одним из самых распространенных и используется в оперативной памяти компьютеров. Основная особенность DRAM - это динамическая природа хранения данных, которая требует периодической обновляемой информации. Однако они предоставляют быстрый доступ к данным и имеют высокую плотность хранения.
  2. SRAM (Static Random-Access Memory): SRAM - это статическая оперативная память, которая хранит данные в виде битов в стабильных латчах. Она более быстрая и надежная по сравнению с DRAM, но имеет более высокую стоимость и потребление энергии. SRAM используется в кэш-памяти процессоров и других устройствах, где требуется высокая производительность.
  3. Flash-память: Flash-память является неволатильным типом памяти, что означает, что данные сохраняются даже при отключении питания. Она широко используется в USB-флешках, картах памяти, SSD и многих других устройствах. Существует несколько разновидностей Flash-памяти, включая NAND и NOR Flash, каждая из которых обладает своими уникальными характеристиками.
  4. EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory): EEPROM - это тип памяти, который позволяет записывать и стирать данные электрически. Он часто используется для хранения BIOS-информации и настроек в компьютерах, а также во многих микроконтроллерах.
  5. MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory): MRAM - это относительно новый тип памяти, который использует магнитные свойства для хранения данных. Он объединяет преимущества SRAM и Flash-памяти, обеспечивая высокую производительность и неволатильность.
  6. HBM (High Bandwidth Memory): HBM представляет собой высокопроизводительный тип стековой памяти, используемый в графических ускорителях и высокопроизводительных вычислительных системах. Он обеспечивает высокую пропускную способность и низкую задержку доступа к данным.
  7. LPDDR (Low Power Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory): Этот тип памяти оптимизирован для мобильных устройств и других низкопотребляющих приложений. LPDDR предлагает низкое энергопотребление и высокую производительность, что делает его идеальным выбором для смартфонов и планшетов.

8004269881
Rocknparts
(W25Q32BVSIG/ W25Q32FVSSIG) память FLASH W25Q32BVSIG, SOP-8
10 гр.
130 ₽
8004270394
Rocknparts
(W25Q64FVSIG) W25Q64FVSIG
10 гр.
130 ₽
8004270918
Rocknparts
(W25X80AVSSIG) память FLASH W25X80AVSSIG, SOP-8
10 гр.
88 ₽
8004270594
Rocknparts
(W631GG6JB-12) W631GG6JB-12
10 гр.
150 ₽
14765
Россия
133РУ7, (1990-97г)
0 гр.
260 ₽
8365773820
Россия
134РУ6, (1990-97г)
0 гр.
290 ₽
8001846666
Квазар
140УД101А, Интегральная микросхема
0 гр.
35 ₽
8001846667
Квазар
140УД20Б (ник), Интегральная микросхема
0 гр.
140 ₽
37990
Россия
142ЕН2А, Регулируемый стабилизатор напряжения, 12В…30В
0 гр.
110 ₽
8001849028
ОАО ИНТЕГРАЛ
1533ТМ8, Интегральная микросхема
0 гр.
110 ₽
58342
Россия
1623РТ2А, (03-06г)
0 гр.
10530 ₽
8588264130
Россия
1804ВУ3, (1989г)
0 гр.
140 ₽
8692013988
Россия
1804ВУ6
0 гр.
250 ₽
9110051926
Microchip Technology
23K256-I/SN, Микросхема памяти, SRAM, SERIAL, 256KБ, 2.7В [SOIC-8]
0 гр.
140 ₽
9000229298
Microchip Technology
23LC1024-I/SN, Микросхема памяти, SRAM, 1М, SPI, 20МГц [SOIC-8]
0 гр.
340 ₽
8004158077
Microchip Technology
23LCV1024-I/ST
0 гр.
330 ₽
8001847260
ОАО Протон
249КН1А, Интегральная микросхема
0 гр.
200 ₽
9000553525
Microchip Technology
24AA01T-I/OT
0 гр.
170 ₽
8001928914
Microchip Technology
24AA025E48-I/SN
0 гр.
41 ₽
8001927584
Microchip Technology
24AA02E48-I/SN
0 гр.
34 ₽
9000244275
Microchip Technology
24AA02E48T-I/OT, Микросхема памяти 2KBIT 400KHZ [SOT-23-5]
0 гр.
54 ₽
9000243133
Microchip Technology
24AA256-I/SN, Микросхема памяти, EEPROM, 256К, I2C, 400rГц [SOIC-8]
0 гр.
68 ₽
9000835735
Microchip Technology
24AA512-I/P, Микросхема пямяти EEPROM 512KBIT I2C DIP-8
1 гр.
240 ₽
606623883
Microchip Technology
24LC01B-I/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
0 гр.
21 ₽
12165
Microchip Technology
24LC02B-I/P, Последовательная энергонезависимая память [PDIP-8]
1 гр.
36 ₽
53015
Microchip Technology
24LC02B-I/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
0 гр.
22 ₽
51295
Microchip Technology
24LC04B/P, Последовательная энергонезависимая память [PDIP-8]
1 гр.
44 ₽
27004
Microchip Technology
24LC04B/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
0 гр.
21 ₽
9000588936
Microchip Technology
24LC08B-I/SN, Микросхема EEPROM, I2C, 8 Кбит, 400 кГц [SOIC-8]
0 гр.
22 ₽
2133427844
Microchip Technology
24LC128-I/P, Микросхема памяти, EEPROM, 128K, I2C, 400кГц [DIP-8]
1 гр.
57 ₽
9000025321
Microchip Technology
24LC128-I/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
0 гр.
110 ₽
61228
Microchip Technology
24LC16B/P, Последовательная энергонезависимая память [PDIP-8]
1 гр.
44 ₽
39639
Microchip Technology
24LC16B/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
0 гр.
48 ₽
2255611687
Microchip Technology
24LC256T-I/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
0 гр.
75 ₽
9000350995
Microchip Technology
24LC32A-I/SN, Микросхема памяти EEPROM 32KBIT 400KHZ [SOIC-8]
0 гр.
70 ₽
2414903893
Microchip Technology
24LC512-I/P, Последовательная энергонезависимая память [DIP-8]
1 гр.
140 ₽
298348948
Microchip Technology
24LC512-I/SM, Последовательная энергонезависимая память, 32Kx8, [SO-8]
0 гр.
140 ₽
9000042388
Microchip Technology
24LC515-I/SM, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
0 гр.
300 ₽
809167760
Microchip Technology
24LC64-I/SN, Последовательная энергонезависимая память, 64K [SO-8]
0 гр.
35 ₽
9000435133
Microchip Technology
24LC64-I/ST, Последовательная энергонезависимая память, 64K [TSSOP-8]
0 гр.
59 ₽
10352
Microchip Technology
24LC65-I/P, Последовательная энергонезависимая память [PDIP-8]
1 гр.
170 ₽
9000253237
Microchip Technology
25AA1024-I/SM, Микросхема памяти, EEPROM, 1Mb (128K x 8), SPI, 20МГц [SOIC-8]
0 гр.
200 ₽
9110051162
Microchip Technology
25AA160A-I/SN, Микросхема памяти EEPROM 16K SPI 10MHZ [SOIC-8]
0 гр.
48 ₽
9000042502
Microchip Technology
25LC040A-I/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
0 гр.
36 ₽
9010000173
Microchip Technology
25LC256-I/SN, Микросхема памяти 256KBIT 10MHZ [SOIC-8]
0 гр.
75 ₽
9000271822
Microchip Technology
25LC320A-I/P, Микросхема памяти EEPROM 32K SPI 10МГц [DIP-8]
1 гр.
89 ₽
9000221735
ОАО ПО ВОСХОД
564ЛЕ6, Два логических элемента 4ИЛИ-НЕ
1 гр.
12 ₽
9000315403
Microchip Technology
93C46B/P, Микросхема памяти EEPROM 1KBIT 2MHZ [DIP-8]
1 гр.
35 ₽
168112796
Microchip Technology
93LC46-B/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
0 гр.
18 ₽
977843562
Microchip Technology
93LC46B-I/P, Последовательная энергонезависимая память, [DIP-8]
1 гр.
49 ₽
9000002143
Microchip Technology
93LC46B-I/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
0 гр.
19 ₽
9000167508
Microchip Technology
93LC56B-I/SN, Микросхема памяти, EEPROM, 2Kb (128 x 16), SPI, 2МГц [SOIC-8]
0 гр.
26 ₽
9000239868
Microchip Technology
93LC56BT-I/OT, Микросхема памяти 2KBIT 3MHZ [SOT-23-6]
0 гр.
23 ₽
1731538345
Spansion
AM29F040B-70JF, Флэш-память 4M (512Kx8) [PLCC-32]
2 гр.
750 ₽
9060000096
Китай
AM29F200BB-70SF, Флэш-память 2M, [SO-44]
2 гр.
270 ₽
9000793896
Alliance Memory Inc
AS7C4098A-15TIN, Микросхема памяти SRAM 4МБит Parallel TSOP2-44
3 гр.
1060 ₽
2892914611
Atmel
AT17LV010-10PU, Микросхема памяти, 1-Mb FPGA Configuration EEPROM [DIP-8]
1 гр.
1980 ₽
9000714651
Microchip Technology
AT24C04C-PUM, Микросхема памяти EEPROM 4K I2C 1МГц [DIP-8]
1 гр.
45 ₽