Консультация по телефону +7 (343) 302-00-16
с 9:00 до 20:00
Без выходных
0
Корзина
Сумма:0
Корзина пуста
Каталог > 15 000 товаров
Найти
Каталог > 15 000 товаров
Сумма:0
Корзина пуста
[]

Полевые (FETs, MOSFETs)

История и развитие полевых транзисторов

Ранняя История (1940-е – 1950-е годы): История полевых транзисторов началась в 1947 году, когда Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли из Bell Labs создали первый рабочий транзистор. Хотя их транзистор был биполярным, он положил начало развитию полевых транзисторов. В 1959 году Доусон Кахнг и Мартин М. Аталла из Bell Labs изобрели первый полевой МОП-транзистор (металл-оксид-полупроводник), который положил начало эре микроэлектроники.

Технологические Прорывы (1960-е – 1980-е годы): 1960-е и 1970-е годы ознаменовались значительным развитием технологий производства полевых транзисторов. В это время появились такие инновации, как технология планарного процесса и методы микролитографии, которые позволили создавать все более маленькие и эффективные транзисторы. Эти достижения способствовали массовому производству интегральных микросхем и запуску эры персональных компьютеров.

Современные Инновации (1990-е – настоящее время): С 1990-х годов и до сегодняшнего дня полевые транзисторы продолжают эволюционировать. С развитием нанотехнологий появились новые типы транзисторов, такие как МОП-транзисторы с высоким уровнем электронной подвижности (High Electron Mobility Transistors, HEMT) и финФЕТы (FinFETs). Эти технологии позволили достигнуть безпрецедентного уровня плотности интеграции и эффективности, что стало ключевым фактором в развитии современных высокопроизводительных процессоров и мобильных устройств.

Основные принципы работы полевых транзисторов

Полевые транзисторы, известные также как FET (Field-Effect Transistors), представляют собой ключевой элемент современной электроники. Они функционируют, используя электрическое поле для управления формой и проводимостью 'канала', который является путем, по которому течет электрический ток.

Принцип работы полевых транзисторов основан на управлении этим каналом через внешнее напряжение, приложенное к так называемому 'затвору'. В зависимости от типа полевого транзистора (со стоком или с истоком P-N перехода), этот процесс может увеличивать или уменьшать проводимость канала, тем самым регулируя ток.

Типы полевых транзисторов

1. МОП (Металл-Оксид-Полупроводник) Транзисторы: Эти транзисторы являются самыми распространёнными. Они используют тонкий слой оксида между затвором и каналом, что позволяет управлять потоком тока с высокой эффективностью. МОП транзисторы нашли своё применение во многих современных цифровых устройствах, от микросхем памяти до процессоров.

2. JFET (Полевой Транзистор с Униполярным p-n Переходом): JFET транзисторы используют p-n переход для управления электрическим током. Они идеально подходят для приложений, требующих низкого уровня шума, например, в аудиоусилителях и радиоприёмниках.

3. MESFET (Транзистор с Шоттки на Полупроводниковом Переходе): Эти транзисторы используют барьер Шоттки вместо p-n перехода, что обеспечивает более высокую скорость работы. MESFET часто применяются в высокочастотных устройствах, таких как радары и спутниковые коммуникации.

4. HEMT (Высокоэлектронномобильные Транзисторы): HEMT транзисторы разработаны для работы в очень высокочастотных диапазонах. Они используют два разных полупроводниковых материала для создания гетероструктуры, что позволяет им достигать высокой мобильности электронов.

5. ФинТранзисторы (FinFET): Это сравнительно новый тип полевых транзисторов, где канал выполнен в форме вертикальной "плавника". FinFET технология позволяет создавать транзисторы с очень малыми размерами, что является ключевым для миниатюризации современных микросхем.

Каждый из этих типов полевых транзисторов играет свою роль в развитии электроники, открывая новые горизонты в проектировании электронных устройств. От понимания их уникальных свойств зависит будущее инноваций в этой области.

Применение полевых транзисторов

Одним из наиболее значимых применений полевых транзисторов является их использование в интегральных схемах, таких как микропроцессоры и память. Их способность быстро переключаться между состояниями «включено» и «выключено» позволяет обрабатывать данные с высокой скоростью, что критично для современных вычислительных устройств.

В области энергетики полевые транзисторы используются в системах управления питанием, таких как источники бесперебойного питания, солнечные инверторы и системы управления аккумуляторами. Они позволяют эффективно управлять и распределять энергию, минимизируя потери и увеличивая общую эффективность системы.

В автомобильной промышленности полевые транзисторы играют ключевую роль в электронных системах управления двигателями, системах безопасности и инфотеймент-системах. Они обеспечивают надежное и эффективное управление мощностью, что особенно важно в условиях повышенных требований к безопасности и комфорту.

В области связи полевые транзисторы находят широкое применение в радиочастотных устройствах и сетевом оборудовании. Они помогают улучшить производительность и дальность действия беспроводных устройств, обеспечивая стабильную и эффективную передачу данных.

Также они используются в конструкции датчиков и измерительных устройств, где их высокая чувствительность и способность к точному управлению током позволяют создавать точные и надежные измерительные инструменты.


8347190232
Nexperia
210BC847BPN BC847BPN PHI SOT363
0 гр.
17 ₽
8003212513
ON Semiconductor
2N7000, Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
0 гр.
12 ₽
8001923416
ON Semiconductor
2N7000TA
0 гр.
5 ₽
9000119195
ON Semiconductor
2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]
0 гр.
9 ₽
9000096616
ON Semiconductor
2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]
0 гр.
8 ₽
2272434975
Nexperia
2N7002,215, Транзистор, N-канал, 60В, 0.3А [SOT-23]
0 гр.
10 ₽
9000563903
Micro Commercial Components
2N7002DW-TP, Транзистор MOSFET, 2N-канала, 60В, 0.115А [SOT-363]
0 гр.
8 ₽
9000251869
Vishay
2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23]
0 гр.
9 ₽
9000506121
ON Semiconductor
2N7002L, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]
0 гр.
6 ₽
330656548
ON Semiconductor
2N7002LT1G, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23-3]
0 гр.
6 ₽
57906
Нет торговой марки
2SJ103-GR, Транзистор, Р-канал, аудиоусилители, аналоговый ключ [TO-92]
0 гр.
82 ₽
215001901
Renesas Technology
2SJ162, Транзистор, Р-канал, аудио приложения [TO-3P]
0 гр.
750 ₽
49802
NEC
2SJ449, Транзистор, Р-канал, [TO-220F]
0 гр.
110 ₽
679059182
Toshiba
2SJ512, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]
0 гр.
87 ₽
35645
Toshiba
2SK1117, Транзистор, N-канал, [TO-220AB]
0 гр.
120 ₽
9000022330
Toshiba
2SK117-GR, Транзистор, N-канал [TO-92]
0 гр.
120 ₽
47788
Renesas Technology
2SK1317-E, Транзистор, N-канал [TO-3P]
0 гр.
470 ₽
23794
Toshiba
2SK1358, Транзистор, N-канал [TO-3P]
0 гр.
320 ₽
1035240162
Toshiba
2SK170-BL, Транзистор, N-канал [TO-92]
0 гр.
57 ₽
2326
Toshiba
2SK2039, Транзистор, N-канал [TO-3P]
0 гр.
200 ₽
1645
Toshiba
2SK2056, Транзистор, N-канал [2-10R1A / TO-220FP]
0 гр.
110 ₽
16996
Sanyo
2SK212, Транзистор, N-канал, FM-тюнер, радио [TO-92S]
0 гр.
50 ₽
11610
NEC
2SK2134, Транзистор, N-канал, 200В, 13А [TO-220AB]
0 гр.
69 ₽
32847
NEC
2SK2141, Транзистор, N-канал [TO-220F]
0 гр.
110 ₽
9000073825
Renesas Technology
2SK2225-E, Транзистор, N-канал [TO-3PFM]
0 гр.
400 ₽
157442451
Toshiba
2SK2232, Транзистор, L2-TT-MOSV, N-канал, 60В, 25А [SC-67 / 2-10R1B]
0 гр.
120 ₽
3328751891
Toshiba
2SK2466, Транзистор, N-канал [TO-220F]
0 гр.
110 ₽
9000012735
Китай
2SK246Y, Транзистор, N-канал [TO-92]
0 гр.
120 ₽
9000246797
Китай
2SK2500, Транзистор, N-канал [TO-3P]
0 гр.
230 ₽
34725
Toshiba
2SK2545, Транзистор, N-канал [TO-220F]
0 гр.
110 ₽
9000514702
Inchange Semiconductor
2SK2608, Транзистор N-канал 900В 3А 100Вт [TO-220]
0 гр.
330 ₽
975016071
Toshiba
2SK2611(F,T), Транзистор, N-канал [TO-3P]
0 гр.
360 ₽
29129
Китай
2SK2645, Транзистор, N-канал [TO-220F]
0 гр.
150 ₽
514022178
Fuji Electric
2SK2651, Транзистор, N-канал [2-10R1B / TO-220F]
0 гр.
160 ₽
544315564
Toshiba
2SK2717, Транзистор, N-канал [2-10R1B / TO-220F]
0 гр.
120 ₽
253600258
Toshiba
2SK2718, Транзистор, N-канал [TO-220F]
0 гр.
98 ₽
402123947
Fuji Electric
2SK2761-01MR, Транзистор, N-канал [2-10R1B / TO-220FP]
0 гр.
94 ₽
2929213325
Toshiba
2SK2842, Транзистор, N-канал [TO-220F]
0 гр.
90 ₽
661580248
Toshiba
2SK2843(Q), Транзистор, N-канал [TO-220F]
0 гр.
110 ₽
9000040619
Fuji Electric
2SK2850, Транзистор, N-канал [TO-3P]
0 гр.
200 ₽
541719549
Toshiba
2SK2996, Транзистор, N-канал, высоковольтные ключи [TO-220F]
0 гр.
140 ₽
9000038678
Rohm
2SK3019TL, Транзистор, N-канал, 30В, 0.1А [SOT-416]
0 гр.
24 ₽
2142306987
NEC
2SK3115, Транзистор, N-канал [TO-220F]
0 гр.
78 ₽
9000345001
Renesas Technology
2SK3115B, Транзистор, N-канал 600В 6А [TO-220F]
0 гр.
99 ₽
2923006522
Fuji Electric
2SK3264, Транзистор, N-канал [TO-220F]
0 гр.
140 ₽
9000076621
Toshiba
2SK3265, Транзистор, TT-MOSV, N-канал, 700В, 5А [SC-67 / 2-10R1B]
0 гр.
94 ₽
9020005930
Fuji Electric
2SK3530, Транзистор, SuperFAP-G, N-канал, 800В, 7А, 1.9Ом [2-10R1B / TO-220F]
0 гр.
120 ₽
9020002205
Toshiba
2SK3562, Транзистор, N-канал [TO-220F]
0 гр.
68 ₽
9000242966
Toshiba
2SK3564(STA4,Q,M), Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 3А [SC-67 / 2-10U1B]
0 гр.
110 ₽
2020904995
Toshiba
2SK3565(STA4,Q,M, Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 5А [SC-67 / 2-10U1B]
0 гр.
110 ₽
9020003116
Toshiba
2SK3567, Транзистор, N-канал [TO-220F]
0 гр.
59 ₽
9020003852
Toshiba
2SK3568, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 500В, 12А [SC-67 / 2-10U1B]
0 гр.
81 ₽
9000041733
Toshiba
2SK3569, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 10А [SC-67 / 2-10U1B]
0 гр.
98 ₽
9000135459
Toshiba
2SK3797, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 13А [SC-67 / 2-10U1B]
0 гр.
110 ₽
9000241006
Toshiba
2SK3878(F), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P]
0 гр.
220 ₽
36189
Россия
2П303В никель, Транзистор, N-канал [КТ-112]
0 гр.
110 ₽