Крутизна характеристики, S
80
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id,
7.5 Ом/0.5А, 10В
N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.