Характеристики
:Крутизна характеристики, S
80
:Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.35
:Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
:Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
:Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.12
:Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id,
7.5 Ом/0.5А, 10В
N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.