Warning: unlink(/var/www/web/sites/el-find.ru/storage/cache/cache.product.unishop.autorelated.77541.1.1.0.1744686906): No such file or directory in /var/www/web/sites/el-find.ru/system/library/cache/file.php on line 17Warning: unlink(/var/www/web/sites/el-find.ru/storage/cache/cache.product.unishop.autorelated.83614.1.1.0.1744686904): No such file or directory in /var/www/web/sites/el-find.ru/system/library/cache/file.php on line 17 2N7000TA купить оптом по цене 5 руб. в интернет-магазине El-Find

[]

5 отзывов

2N7000TA

Name: 2N7000TA
Brand: ON Semiconductor
SKU: 8001923416
Price: 5.0000 RUB

Артикул:

8001923416

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

5 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Характеристики

Описание

Base Product Number

2N7000 -&gt,

Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC

200mA(Tc)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

200mA (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Id - непрерывный ток утечки

200 mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.3V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package

Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pd - рассеивание мощности

400 mW

Power Dissipation (Max)

400mW (Ta)

Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)

400mW

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Rds On - Drain-Source Resistance

5О @ 500mA,10V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.2 Ohms

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Transistor Configuration

Одинарный

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs (Max)

В20V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 1mA

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Вес, г

0.299

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

10 ns

Время спада

10 ns

Высота

5.33мм

Длина

5.2мм

Канальный режим

Enhancement

Категория

Малый сигнал

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Количество элементов на ИС

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.1 S

Максимальная рабочая температура

+150 C

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Максимальное рассеяние мощности

400 мВт

Максимальное сопротивление сток-исток

5 Ω

Максимальный непрерывный ток стока

200 mA

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 C

Номер канала

Поднятие

Подкатегория

MOSFETs

Полярность транзистора

N-Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Производитель

ON Semiconductor

Размер фабричной упаковки

2000

Размеры

5.2 x 4.19 x 5.33мм

Серия

2N7000

Технология

Тип

MOSFET

Тип канала

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичная входная емкость при Vds

30 пФ при 25 В

Типичное время задержки включения

10 нс

Типичное время задержки выключения

10 нс

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Ammo Pack

Упаковка / блок

TO-92-3

Число контактов

Ширина

4.19мм

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO92, АБ

Корпус TO-92-3

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги

2N7000TA

С этим товаром часто заказывают

Почему стоит заказать у нас?