2N7000TA

Артикул:

8001923416

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

5 ₽

1 шт

Характеристики

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

:Base Product Number

2N7000 -&gt,

:Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC

200mA(Tc)

:Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

200mA (Tc)

:Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

:Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

:ECCN

EAR99

:FET Type

N-Channel

:HTSUS

8541.21.0095

:Id - непрерывный ток утечки

200 mA

:Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

:Minimum Gate Threshold Voltage

0.3V

:Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

:Mounting Type

Through Hole

:Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

:Package

Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)

:Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

:Pd - рассеивание мощности

400 mW

:Power Dissipation (Max)

400mW (Ta)

:Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)

400mW

:Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

:Rds On - Drain-Source Resistance

5О @ 500mA,10V

:Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.2 Ohms

:REACH Status

REACH Unaffected

:RoHS Status

ROHS3 Compliant

:Supplier Device Package

TO-92-3

:Technology

MOSFET (Metal Oxide)

:Transistor Configuration

Одинарный

:Transistor Polarity

N Channel

:Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

:Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

:Vgs (Max)

В20V

:Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 1mA

:Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

:Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

:Вес, г

0.299

:Вид монтажа

Through Hole

:Время нарастания

10 ns

:Время спада

10 ns

:Высота

5.33мм

:Длина

5.2мм

:Канальный режим

Enhancement

:Категория

Малый сигнал

:Категория продукта

МОП-транзистор

:Количество каналов

1 Channel

:Количество элементов на ИС

:Конфигурация

Single

:Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.1 S

:Максимальная рабочая температура

+150 C

:Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

:Максимальное напряжение сток-исток

60 В

:Максимальное рассеяние мощности

400 мВт

:Максимальное сопротивление сток-исток

5 Ω

:Максимальный непрерывный ток стока

200 mA

:Материал транзистора

Кремний

:Минимальная рабочая температура

-55 C

:Номер канала

Поднятие

:Подкатегория

MOSFETs

:Полярность транзистора

N-Channel

:Продукт

MOSFET Small Signal

:Производитель

ON Semiconductor

:Размер фабричной упаковки

2000

:Размеры

5.2 x 4.19 x 5.33мм

:Серия

2N7000

:Технология

:Тип

MOSFET

:Тип канала

:Тип корпуса

TO-92

:Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

:Тип продукта

MOSFET

:Тип транзистора

1 N-Channel

:Типичная входная емкость при Vds

30 пФ при 25 В

:Типичное время задержки включения

10 нс

:Типичное время задержки выключения

10 нс

:Типичное время задержки при включении

10 ns

:Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

:Упаковка

Ammo Pack

:Упаковка / блок

TO-92-3

:Число контактов

:Ширина

4.19мм

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO92, АБ

Корпус TO-92-3

Доставка товара:

Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
Вес груза: 1 кг
Объем груза: 0.1 м³

Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата

Порядок работы:

Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
После оплаты товар отправляется на склад.

Порядок оплаты:

100% предоплата на счет Поставщика.
Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

2N7000TA

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?