Характеристики
:Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
:Maximum DC Collector Current
200mA
:Pd - Power Dissipation
625mW
:Transistor Configuration
Одинарный
:Количество элементов на ИС
1
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальная рабочая частота
300 MHz
:Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 V
:Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
:Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-0,95 В
:Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
:Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
:Максимальное рассеяние мощности
0.625 W
:Максимальный пост. ток коллектора
200 mA
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
:Производитель
ON Semiconductor
:Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1, корпус: TO92, АБ
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.