Характеристики
Collector-Emitter Breakdown Voltage:
40V
Maximum DC Collector Current:
200mA
Pd - Power Dissipation:
625mW
Transistor Configuration:
Одинарный
Количество элементов на ИС:
1
Максимальная рабочая температура:
+150 C
Максимальная рабочая частота:
300 MHz
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер):
40 V
Максимальное напряжение коллектор-база:
60 В
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер:
-0,95 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
0.3 V
Максимальное напряжение эмиттер-база:
6 В
Максимальное рассеяние мощности:
0.625 W
Максимальный пост. ток коллектора:
200 mA
Минимальная рабочая температура:
-55 C
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току:
30
Производитель:
ON Semiconductor
Размеры:
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Тип монтажа:
Монтаж на плату в отверстия
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1, корпус: TO92, АБ
Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.