:Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
:Maximum DC Collector Current
200mA
:Pd - Power Dissipation
625mW
:Transistor Configuration
Одинарный
:Количество элементов на ИС
1
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальная рабочая частота
300 MHz
:Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 V
:Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
:Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-0,95 В
:Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
:Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
:Максимальное рассеяние мощности
0.625 W
:Максимальный пост. ток коллектора
200 mA
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
:Производитель
ON Semiconductor
:Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия