:Id - непрерывный ток утечки
8 A
:Minimum Gate Threshold Voltage
2V
:Pd - рассеивание мощности
125 W
:Qg - заряд затвора
63 nC
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
850 mOhms
:Transistor Configuration
Одинарный
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
:Канальный режим
Enhancement
:Категория
Мощный МОП-транзистор
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество каналов
1 Channel
:Количество элементов на ИС
1
:Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
4.9 S
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
:Максимальное напряжение сток-исток
500 В
:Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
:Максимальное сопротивление сток-исток
850 mΩ
:Максимальный непрерывный ток стока
8 A
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Полярность транзистора
N-Channel
:Размер фабричной упаковки
1000
:Размеры
10.41 x 9.65 x 4.83мм
:Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
:Тип монтажа
Поверхностный монтаж
:Тип транзистора
1 N-Channel
:Типичная входная емкость при Vds
1300 pF @ 25 V
:Типичное время задержки включения
14 ns
:Типичное время задержки выключения
49 нс
:Типичное время задержки при включении
14 ns
:Типичный заряд затвора при Vgs
63 nC @ 10 V
:Торговая марка
Vishay / Siliconix
:Упаковка / блок
TO-263-3