:Channel Mode
Enhancement
:Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC
10A
:Maximum Continuous Drain Current (A)
10
:Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
550@10V
:Maximum Drain Source Voltage (V)
400
:Maximum Gate Source Voltage (V)
20
:Maximum Operating Temperature (C)
150
:Maximum Power Dissipation (mW)
125000
:Minimum Gate Threshold Voltage
2V
:Minimum Operating Temperature (C)
-55
:Number of Elements per Chip
1
:Package Height
9.01(Max)
:Package Length
10.41(Max)
:Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)
125W
:Product Category
Power MOSFET
:Rds On - Drain-Source Resistance
550mО @ 6A,10V
:Standard Package Name
TO-220
:Supplier Package
TO-220AB
:Transistor Configuration
Одинарный
:Transistor Polarity
N Channel
:Typical Fall Time (ns)
24
:Typical Gate Charge @ 10V (nC)
63(Max)
:Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
63(Max)@10V
:Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1400@25V
:Typical Rise Time (ns)
27
:Typical Turn-Off Delay Time (ns)
50
:Typical Turn-On Delay Time (ns)
14
:Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
400V
:Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
:Категория
Мощный МОП-транзистор
:Количество элементов на ИС
1
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
:Максимальное напряжение сток-исток
400 V
:Максимальное рассеяние мощности
125 W
:Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
:Максимальный непрерывный ток стока
10 A
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Типичная входная емкость при Vds
1400 пФ при 25 В
:Типичное время задержки включения
14 ns
:Типичное время задержки выключения
50 ns
:Типичный заряд затвора при Vgs
63 nC @ 10 V