:Id - непрерывный ток утечки
3.3 A
:Minimum Gate Threshold Voltage
2V
:Pd - рассеивание мощности
36 W
:Qg - заряд затвора
8.2 nC
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.5 Ohms
:Transistor Configuration
Одинарный
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
200 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
:Вид монтажа
Through Hole
:Канальный режим
Enhancement
:Категория
Мощный МОП-транзистор
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество каналов
1 Channel
:Количество элементов на ИС
1
:Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
0.8 S
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
:Максимальное напряжение сток-исток
200 В
:Максимальное рассеяние мощности
125 W
:Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
:Максимальный непрерывный ток стока
18 А
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Полярность транзистора
N-Channel
:Размер фабричной упаковки
50
:Размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Тип транзистора
1 N-Channel
:Типичная входная емкость при Vds
1300 пФ при 25 В
:Типичное время задержки включения
14 ns
:Типичное время задержки выключения
45 ns
:Типичное время задержки при включении
8.2 ns
:Типичный заряд затвора при Vgs
70 нКл при 10 В
:Торговая марка
Vishay / Siliconix
:Упаковка / блок
TO-220AB-3