:Current Transfer Ratio Test Current (mA)
10
:Isolation Voltage
5 кВ (среднеквадратичное значение)
:Maximum Collector Current (mA)
50
:Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV)
300
:Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
70
:Maximum Current Transfer Ratio (%)
200
:Maximum Forward Current (mA)
60
:Maximum Forward Voltage
1.6V
:Maximum Forward Voltage (V)
1.6
:Maximum Operating Temperature (C)
110
:Maximum Power Dissipation (mW)
200
:Maximum Reverse Voltage (V)
5
:Minimum Current Transfer Ratio
100 %
:Minimum Current Transfer Ratio (%)
100
:Minimum Isolation Voltage (Vrms)
5000
:Minimum Operating Temperature (C)
-55
:Number of Channels per Chip
1
:Output Device
Transistor With Base
:Package Height
3.81(Max)
:Pd - рассеивание мощности
200 mW
:Standard Package Name
DIP
:Typical Fall Time (us)
3.7
:Typical Forward Voltage (V)
1.25
:Typical Rise Time (us)
3
:Vf - прямое напряжение
1.6 V
:Vr - обратное напряжение
5 V
:Выходное устройство
Фототранзистор
:Категория продукта
Транзисторные выходные оптопары
:Коэффициент передачи по току
200 %
:Максимальная рабочая температура
+ 110 C
:Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
70 V
:Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
:Максимальное прямое напряжение
1.6V
:Максимальный коллекторный ток
50 mA
:Максимальный коэффициент передачи по току
200%
:Максимальный ток на входе
60 mA
:Минимальная рабочая температура
55 C
:Минимальный коэффициент передачи по току
100 %
:Напряжение изоляции
5000 V ac
:Подкатегория
Optocouplers
:Тип входного тока
Пост. ток
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Типичное время затухания
3.7мкс
:Типичное время нарастания
3мкс