:Current Transfer Ratio Test Current (mA)
10
:Input Current Type
Пост. ток
:Isolation Voltage
13.9 k Vrms
:Maximum Collector Current (mA)
50
:Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV)
300
:Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
32
:Maximum Current Transfer Ratio (%)
300
:Maximum Forward Current (mA)
75
:Maximum Forward Voltage
1.6V
:Maximum Forward Voltage (V)
1.6
:Maximum Input Current
75 mA
:Maximum Operating Temperature (C)
85
:Maximum Power Dissipation (mW)
250
:Maximum Reverse Voltage (V)
5
:Minimum Current Transfer Ratio
50 %
:Minimum Current Transfer Ratio (%)
50
:Minimum Isolation Voltage (Vrms)
8200
:Minimum Operating Temperature (C)
-55
:Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
:Number of Channels per Chip
1
:Output Device
Transistor
:Pd - рассеивание мощности
250 mW
:Standard Package Name
DIP
:Typical Fall Time (us)
2.7
:Typical Forward Voltage (V)
1.25
:Typical Rise Time (us)
2.4
:Vf - прямое напряжение
1.6 V
:Выходное устройство
Фотоэлектрический
:Максимальное прямое напряжение
1.6V
:Максимальный коэффициент передачи по току
300%
:Максимальный ток на входе
75 мА
:Минимальный коэффициент передачи по току
50 %
:Напряжение изоляции
13,9 кВ
:Тип входного тока
Пост. ток
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Типичное время затухания
2.7мкс
:Типичное время нарастания
2.4мкс