Base Product Number
1N4150 ->,
Capacitance @ Vr, F
2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io)
150mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
100nA @ 50V
Dimensions
1.7 (Dia.) x 3.9mm
Diode Configuration
Single
Diode Technology
Кремниевое соединение
Maximum Diode Capacitance
2.5pF
Maximum Forward Current
300mA
Maximum Forward Voltage Drop
1V
Maximum Operating Temperature
+175 C
Maximum Reverse Voltage
50V
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Размеры
1.7 (Dia.) x 3.9mm
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Полупроводники\Диоды\Универсальные диоды\Универсальные диоды THT Импульсные диоды малой мощности, Vishay Semiconductor