Время нарастания/спада, (Typ)
15 нс / 8 нс
Выходной ток High/Low - уровня
2 А / 2 А
Задержка распространения, tpLH/tpHL (Max)
500 нс / 500 нс
Корпус
DIP-8 (0.300) / 11-10C4
Напряжение изоляции
3750 Vrms
Напряжение питания
15… 30 В
Пиковый выходной ток
2.5 А
Прямое напряжение, Vf (Typ)
1.6 В
Прямой ток, If (Max)
20 мА
Рабочая температура
-40…+100 C
Устойчивость к выбросам напряжения, (Min)
15 кВ/мкс
Оптопара, IGBT / MOSFET Gate-Drive, Toshiba