:Base Product Number
SS8050 ->,
:Current - Collector (Ic) (Max)
1.5A
:Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
:DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 1V
:Frequency - Transition
100MHz
:Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
:Mounting Type
Through Hole
:Operating Temperature
150ВC (TJ)
:Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
:Pd - рассеивание мощности
1 W
:REACH Status
REACH Unaffected
:RoHS Status
ROHS3 Compliant
:Supplier Device Package
TO-92-3
:Transistor Configuration
Одинарный
:Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 80mA, 800mA
:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25V
:Вид монтажа
Through Hole
:Другие названия товара №
SS8050CBU_NL
:Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
:Количество элементов на ИС
1
:Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
85
:Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
300
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
25 В
:Максимальное напряжение коллектор-база
40 V
:Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,2 В
:Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
:Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
:Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
:Максимальный пост. ток коллектора
1,5 А
:Максимальный постоянный ток коллектора
1.5 A
:Минимальная рабочая температура
65 C
:Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
:Напряжение коллектор-база (VCBO)
40 V
:Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
25 V
:Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.5 V
:Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
:Непрерывный коллекторный ток
1.5 A
:Подкатегория
Transistors
:Полярность транзистора
NPN
:Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
100 MHz
:Производитель
ON Semiconductor
:Размер фабричной упаковки
10000
:Размеры
4.58 x 3.86 x 4.58мм
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
:Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild