Base Product Number
SS8050 ->,
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150ВC (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pd - рассеивание мощности
1 W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Configuration
Одинарный
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 80mA, 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25V
Другие названия товара №
SS8050CBU_NL
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Количество элементов на ИС
1
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
85
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
300
Максимальная рабочая температура
+150 C
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
25 В
Максимальное напряжение коллектор-база
40 V
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,2 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Максимальный пост. ток коллектора
1,5 А
Максимальный постоянный ток коллектора
1.5 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Напряжение коллектор-база (VCBO)
40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
1.5 A
Полярность транзистора
NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
100 MHz
Производитель
ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки
10000
Размеры
4.58 x 3.86 x 4.58мм
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild