Base Product Number:
SS8050 ->,
Current - Collector (Ic) (Max):
1.5A
Current - Collector Cutoff (Max):
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition:
100MHz
Moisture Sensitivity Level (MSL):
1 (Unlimited)
Mounting Type:
Through Hole
Operating Temperature:
150ВC (TJ)
Package / Case:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pd - рассеивание мощности:
1 W
REACH Status:
REACH Unaffected
RoHS Status:
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package:
TO-92-3
Transistor Configuration:
Одинарный
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
500mV @ 80mA, 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
25V
Вид монтажа:
Through Hole
Другие названия товара №:
SS8050CBU_NL
Категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
Количество элементов на ИС:
1
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe:
85
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:
300
Максимальная рабочая температура:
+150 C
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер):
25 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
40 V
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер:
1,2 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
0,5 В
Максимальное напряжение эмиттер-база:
6 В
Максимальное рассеяние мощности:
1 Вт
Максимальный пост. ток коллектора:
1,5 А
Максимальный постоянный ток коллектора:
1.5 A
Минимальная рабочая температура:
65 C
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току:
40
Напряжение коллектор-база (VCBO):
40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):
6 V
Непрерывный коллекторный ток:
1.5 A
Подкатегория:
Transistors
Полярность транзистора:
NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания :
100 MHz
Производитель:
ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки:
10000
Размеры:
4.58 x 3.86 x 4.58мм
Тип монтажа:
Монтаж на плату в отверстия
Тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка:
ON Semiconductor / Fairchild