Fabrication Technology
NPN Transistor
Half Intensity Angle Degrees ()
24
Maximum Collector Current (mA)
15
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.2
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
35
Maximum Dark Current (nA)
200
Maximum Fall Time (ns)
7000/8000
Maximum Light Current (uA)
4500/7200
Maximum Operating Temperature (C)
100
Maximum Power Dissipation (mW)
165
Maximum Rise Time (ns)
7000/8000
Minimum Operating Temperature (C)
-40
Number of Channels per Chip
1
Phototransistor Type
Phototransistor
Spectrums Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Standard Package Name
T-1
Viewing Orientation
Top View
Максимальная определяемая длина волны
1150нм
Максимальный темновой ток
200нА
Максимальный ток освещения
7200мкА
Минимальная определяемая длина волны
380Нм
Производитель
OSRAM Opto Semiconductors
Спектральный диапазон чувствительности
380 → 1150 нм
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Типичное время затухания
7мкс
Типичное время нарастания
7мкс
Угол половинной чувствительности
24
Oптоэлектроника\Фотоэлементы\Фототранзисторы Корпус фототранзистора 3 мм