Характеристики
Fabrication Technology:
NPN Transistor
Half Intensity Angle Degrees ():
24
Maximum Collector Current (mA):
15
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V):
0.2
Maximum Collector-Emitter Voltage (V):
35
Maximum Dark Current (nA):
200
Maximum Fall Time (ns):
7000
Maximum Light Current (uA):
4500
Maximum Operating Temperature (C):
100
Maximum Power Dissipation (mW):
165
Maximum Rise Time (ns):
7000
Minimum Operating Temperature (C):
-40
Number of Channels per Chip:
1
Peak Wavelength (nm):
860
Phototransistor Type:
Phototransistor
Standard Package Name:
T-1
Viewing Orientation:
Top View
Oптоэлектроника\Фотоэлементы\Фототранзисторы
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.