Характеристики
Fabrication Technology:
NPN Transistor
Half Intensity Angle Degrees ():
26
Maximum Collector Current (mA):
15
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V):
0.17
Maximum Collector-Emitter Voltage (V):
30
Maximum Dark Current (nA):
50
Maximum Emitter-Collector Voltage (V):
7
Maximum Fall Time (ns):
7000
Maximum Light Current (uA):
800
Maximum Operating Temperature (C):
85
Maximum Rise Time (ns):
7000
Minimum Operating Temperature (C):
-25
Number of Channels per Chip:
1
Peak Wavelength (nm):
870
Phototransistor Type:
Phototransistor
Spectrums Detected:
Инфракрасный
Standard Package Name:
SMD
Viewing Orientation:
Top View
Количество Выводов:
2вывод(-ов)
Линейка Продукции:
CHIPLED Series
Максимальная определяемая длина волны:
1090нм
Максимальный темновой ток:
2нА
Минимальная определяемая длина волны:
770нм
Производитель:
OSRAM Opto Semiconductors
Размеры:
3 x 1.4 x 2.41мм
Спектральный диапазон чувствительности:
770 - 1090 нм
Стиль Корпуса Транзистора:
1206
Тип корпуса:
Устройство бокового обзора
Тип монтажа:
Surface Mount
Типичное время затухания:
7мкс
Типичное время нарастания:
7мкс
Типичное Значение Длины Волны:
870нм
Угол половинной чувствительности:
13
Оптоэлектроника / ИК/УФ-приборы и фотоприёмники / Фототранзисторы
корпус: 1206, инфо: Фототранзистор smd 3,2х1,6мм/770-1090нм/13, примечание: Q65110A9730
Фототранзистор в корпусе с чипом
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.