Характеристики
:Fabrication Technology
NPN Transistor
:Half Intensity Angle Degrees ()
26
:Maximum Collector Current (mA)
15
:Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.17
:Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
:Maximum Dark Current (nA)
50
:Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
7
:Maximum Fall Time (ns)
7000
:Maximum Light Current (uA)
800
:Maximum Operating Temperature (C)
85
:Maximum Rise Time (ns)
7000
:Minimum Operating Temperature (C)
-25
:Number of Channels per Chip
1
:Peak Wavelength (nm)
870
:Phototransistor Type
Phototransistor
:Spectrums Detected
Инфракрасный
:Standard Package Name
SMD
:Viewing Orientation
Top View
:Количество Выводов
2вывод(-ов)
:Линейка Продукции
CHIPLED Series
:Максимальная определяемая длина волны
1090нм
:Максимальный темновой ток
2нА
:Минимальная определяемая длина волны
770нм
:Производитель
OSRAM Opto Semiconductors
:Размеры
3 x 1.4 x 2.41мм
:Спектральный диапазон чувствительности
770 - 1090 нм
:Стиль Корпуса Транзистора
1206
:Тип корпуса
Устройство бокового обзора
:Тип монтажа
Surface Mount
:Типичное время затухания
7мкс
:Типичное время нарастания
7мкс
:Типичное Значение Длины Волны
870нм
:Угол половинной чувствительности
13
Оптоэлектроника / ИК/УФ-приборы и фотоприёмники / Фототранзисторы
корпус: 1206, инфо: Фототранзистор smd 3,2х1,6мм/770-1090нм/13, примечание: Q65110A9730
Фототранзистор в корпусе с чипом
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.