:Fabrication Technology
NPN Transistor
:Half Intensity Angle Degrees ()
24
:Maximum Collector Current (mA)
15
:Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.2
:Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
35
:Maximum Dark Current (nA)
200
:Maximum Fall Time (ns)
7000/8000
:Maximum Light Current (uA)
4500/7200
:Maximum Operating Temperature (C)
100
:Maximum Power Dissipation (mW)
165
:Maximum Rise Time (ns)
7000/8000
:Minimum Operating Temperature (C)
-40
:Number of Channels per Chip
1
:Peak Wavelength (nm)
860
:Phototransistor Type
Phototransistor
:Spectrums Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
:Standard Package Name
T-1
:Viewing Orientation
Top View
:Максимальная определяемая длина волны
1150нм
:Максимальный темновой ток
200нА
:Максимальный ток освещения
7200мкА
:Минимальная определяемая длина волны
380Нм
:Производитель
OSRAM Opto Semiconductors
:Спектральный диапазон чувствительности
380 → 1150 нм
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Типичное время затухания
7мкс
:Типичное время нарастания
7мкс
:Угол половинной чувствительности
24