:Fabrication Technology
NPN Transistor
:Half Intensity Angle Degrees ()
26
:Maximum Collector Current (mA)
15
:Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.17
:Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
:Maximum Dark Current (nA)
50
:Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
7
:Maximum Fall Time (ns)
7000
:Maximum Light Current (uA)
800
:Maximum Operating Temperature (C)
85
:Maximum Rise Time (ns)
7000
:Minimum Operating Temperature (C)
-25
:Number of Channels per Chip
1
:Peak Wavelength (nm)
870
:Phototransistor Type
Phototransistor
:Spectrums Detected
Инфракрасный
:Standard Package Name
SMD
:Viewing Orientation
Top View
:Количество Выводов
2вывод(-ов)
:Линейка Продукции
CHIPLED Series
:Максимальная определяемая длина волны
1090нм
:Максимальный темновой ток
2нА
:Минимальная определяемая длина волны
770нм
:Производитель
OSRAM Opto Semiconductors
:Размеры
3 x 1.4 x 2.41мм
:Спектральный диапазон чувствительности
770 - 1090 нм
:Стиль Корпуса Транзистора
1206
:Тип корпуса
Устройство бокового обзора
:Тип монтажа
Surface Mount
:Типичное время затухания
7мкс
:Типичное время нарастания
7мкс
:Типичное Значение Длины Волны
870нм
:Угол половинной чувствительности
13