[]

BC847ALT1G, Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k SOT23

5 отзывов

BC847ALT1G, Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k SOT23

Модель:

BC847ALT1G

Артикул:

8002629950

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

9 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

:Base Product Number

BC847 -&gt,

:Brand

ON Semiconductor

:Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

:Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

:DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

:Dimensions

3.04 x 2.64 x 1.11mm

:ECCN

EAR99

:Frequency - Transition

100MHz

:Height

1.11mm

:HTSUS

8541.21.0075

:Length

3.04mm

:Maximum Collector Base Voltage

50 V dc

:Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.6 V

:Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

:Maximum DC Collector Current

100 mA

:Maximum Emitter Base Voltage

6 V

:Maximum Operating Frequency

100 MHz

:Maximum Operating Temperature

+150 C

:Maximum Power Dissipation

300 mW

:Minimum DC Current Gain

110

:Minimum Operating Temperature

-55 C

:Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

:Mounting Type

Surface Mount

:Number of Elements per Chip

1

:Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

:Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ

:Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

:Package Type

SOT-23

:Pd - рассеивание мощности

225 mW

:Pin Count

3

:Power - Max

300mW

:REACH Status

REACH Unaffected

:RoHS Status

ROHS3 Compliant

:Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

:Transistor Configuration

Single

:Transistor Type

NPN

:Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

:Width

2.64mm

:Вес, г

0.02

:Вид монтажа

SMD/SMT

:Высота

0.94 mm

:Длина

2.9 mm

:Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

:Конфигурация

Single

:Максимальная рабочая температура

+ 150 C

:Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

:Минимальная рабочая температура

55 C

:Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

:Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

:Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.6 V

:Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

:Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

:Подкатегория

Transistors

:Полярность транзистора

NPN

:Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания

100 MHz

:Размер фабричной упаковки

3000

:Серия

BC847AL

:Технология

Si

:Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

:Торговая марка

ON Semiconductor

:Упаковка / блок

SOT-23-3

:Ширина

1.3 mm

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек