:Drain Gate On-Capacitance
10pF
:Id - непрерывный ток утечки
50 mA
:Maximum Drain Gate Voltage
-15V
:Maximum Drain Source Voltage
15 V
:Maximum Operating Temperature
+150 C
:Mounting Type
Поверхностный монтаж
:Pd - рассеивание мощности
200 mW
:Source Gate On-Capacitance
2.9pF
:Vds - напряжение пробоя затвор-исток
15 V
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
15 V
:Запирающий ток сток-исток Idss
16 → 32mA
:Конфигурация транзистора
Одинарный
:Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм