:Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
:Drain Gate On-Capacitance
10пФ
:Id - непрерывный ток утечки
50 mA
:Idss Drain-Source Cut-off Current
10 → 20mA
:Maximum Drain Gate Voltage
-15V
:Maximum Drain Source Voltage
15 V
:Maximum Operating Temperature
+150 C
:Mounting Type
Поверхностный монтаж
:Pd - рассеивание мощности
200 mW
:Source Gate On-Capacitance
2.9pF
:Transistor Configuration
Single
:Vds - напряжение пробоя затвор-исток
15 V
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
15 V
:Категория продукта
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
:Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
35 mS
:Максимальная рабочая температура
+ 150 C
:Максимальное напряжение сток-затвор
15 V
:Напряжение отсечки затвор-исток
0.7 V
:Подкатегория
Transistors
:Полярность транзистора
N-Channel
:Размер фабричной упаковки
3000
:Тип продукта
RF JFET Transistors
:Торговая марка
ON Semiconductor
:Упаковка / блок
SOT-23-3