:Channel Mode
Enhancement
:Id - непрерывный ток утечки
115 mA
:Maximum Continuous Drain Current
115 mA
:Maximum Drain Source Resistance
13.5 Ω
:Maximum Drain Source Voltage
60 В
:Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
:Maximum Operating Temperature
+150 C
:Maximum Power Dissipation
200 mW
:Minimum Gate Threshold Voltage
1V
:Minimum Operating Temperature
-55 C
:Mounting Type
Поверхностный монтаж
:Number of Elements per Chip
1
:Package Type
SOT-523 (SC-89)
:Pd - рассеивание мощности
200 mW
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7.5 Ohms
:Transistor Configuration
Одинарный
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
:Канальный режим
Enhancement
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество каналов
1 Channel
:Максимальная рабочая температура
+ 150 C
:Минимальная рабочая температура
55 C
:Полярность транзистора
N-Channel
:Продукт
MOSFET Small Signal
:Размер фабричной упаковки
3000
:Тип транзистора
1 N-Channel
:Типичное время задержки выключения
12.5 ns
:Типичное время задержки при включении
5.85 ns
:Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
:Упаковка / блок
SOT-523-3