[]

5 отзывов

2N7000-D26Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, Idm: 0,5А, 0,4Вт, TO92

Name: 2N7000-D26Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, Idm: 0,5А, 0,4Вт, TO92
Brand: ON Semiconductor
SKU: 8002865168
Price: 47.0000 RUB

Модель:

2N7000-D26Z

Артикул:

8002865168

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

47 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Характеристики

Описание

Base Product Number

2N7000 -&gt,

Brand

ON Semiconductor

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC

200mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

200mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Height

5.33mm

HTSUS

8541.21.0095

Id - непрерывный ток утечки

200 mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Length

5.2mm

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Resistance

9 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Maximum Gate Source Voltage

-40 V, +40 V

Maximum Gate Threshold Voltage

Maximum Operating Temperature

+150 C

Maximum Power Dissipation

400 mW

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Minimum Operating Temperature

-55 C

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Number of Elements per Chip

Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Package Type

TO-92

Pd - рассеивание мощности

400 mW

Pin Count

Power Dissipation (Max)

400mW (Ta)

Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)

400mW

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Rds On - Drain-Source Resistance

5О @ 500mA,10V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.2 Ohms

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Transistor Configuration

Single

Transistor Material

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs (Max)

В20V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 1mA

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Width

4.19mm

Вес, г

Вид монтажа

Through Hole

Высота

5.33 mm

Длина

5.2 mm

Другие названия товара №

2N7000_D26Z

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.1 S

Максимальная рабочая температура

+150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Полярность транзистора

N-Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Прямое напряжение диода

1.5V

Размер фабричной упаковки

2000

Серия

2N7000

Технология

Тип канала

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Reel, Cut Tape

Упаковка / блок

TO-92-3

Число контактов

Ширина

4.19мм

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги

2N7000-D26Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, Idm: 0,5А, 0,4Вт, TO92

С этим товаром часто заказывают

Почему стоит заказать у нас?