:Maximum Gate Threshold Voltage
2V
:Transistor Configuration
Одинарный
:Количество элементов на ИС
1
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальное напряжение сток-исток
60 В
:Максимальное рассеяние мощности
52 Вт
:Максимальное сопротивление сток-исток
19 mΩ
:Максимальный непрерывный ток стока
40 A
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Производитель
ON Semiconductor
:Размеры
6.73 x 6.22 x 2.38мм
:Тип корпуса
DPAK (TO-252)
:Тип монтажа
Поверхностный монтаж
:Типичное время задержки включения
8,4 нс
:Типичное время задержки выключения
26 нс