:Base Product Number
2N7002 ->,
:Channel Mode
Enhancement
:Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
310mA (Ta)
:Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
:Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
:Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 4.5V
:Id - непрерывный ток утечки
310 mA
:Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
:Maximum Continuous Drain Current
310 mA
:Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
:Maximum Drain Source Voltage
60 V
:Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
:Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
:Maximum Operating Temperature
+150 C
:Maximum Power Dissipation
260 mW
:Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
:Minimum Operating Temperature
-55 C
:Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
:Mounting Type
Surface Mount
:Number of Elements per Chip
1
:Operating Temperature
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
:Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
:Package / Case
SC-70, SOT-323
:Package Type
SOT-323 (SC-70)
:Pd - рассеивание мощности
310 mW
:Power Dissipation (Max)
260mW (Ta)
:Qg - заряд затвора
0.6 nC
:Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.6 Ohms
:REACH Status
REACH Unaffected
:RoHS Status
ROHS3 Compliant
:Supplier Device Package
SOT-323
:Technology
MOSFET (Metal Oxide)
:Transistor Configuration
Single
:Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
:Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250ВA
:Канальный режим
Enhancement
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество каналов
1 Channel
:Максимальная рабочая температура
+ 150 C
:Минимальная рабочая температура
55 C
:Полярность транзистора
N-Channel
:Продукт
MOSFET Small Signal
:Размер фабричной упаковки
3000
:Тип транзистора
1 N-Channel Trench MOSFET
:Типичное время задержки выключения
10 ns
:Типичное время задержки при включении
3 ns
:Упаковка / блок
SOT-323-3