:Base Product Number
2N7002 ->,
:Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
190mA (Ta), 300mA (Tc)
:Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
:Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
:Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
430pC @ 4.5V
:Id - непрерывный ток утечки
300 mA
:Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20pF @ 10V
:Mounting Type
Surface Mount
:Operating Temperature
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
:Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
:Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
:Pd - рассеивание мощности
325 mW
:Power Dissipation (Max)
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
:Qg - заряд затвора
0.33 nC
:Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 100mA, 10V
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4.5 Ohms
:RoHS Status
ROHS3 Compliant
:Supplier Device Package
TO-236AB
:Technology
MOSFET (Metal Oxide)
:Transistor Mounting
Surface Mount
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
:Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250ВA
:Другие названия товара №
934661281215
:Канальный режим
Enhancement
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество Выводов
3вывод(-ов)
:Количество каналов
1 Channel
:Максимальная рабочая температура
150 C
:Минимальная рабочая температура
55 C
:Напряжение Измерения Rds(on)
10В
:Напряжение Истока-стока Vds
60В
:Непрерывный Ток Стока
190мА
:Полярность транзистора
N Канал
:Пороговое Напряжение Vgs
1.6В
:Размер фабричной упаковки
3000
:Рассеиваемая мощность
265мВт
:Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
3Ом
:Стиль Корпуса Транзистора
TO-236AB
:Тип транзистора
1 N-Channel
:Типичное время задержки выключения
11 ns
:Типичное время задержки при включении
6 ns
:Упаковка / блок
SOT-23-3