Diode Configuration
Одинарный
Диапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода
2%
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 C
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Максимальный обратный ток утечки
4.5мкА
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа
Surface Mount
Стабилитроны Diode Zener 3.3V 200mW 2%