:Diode Configuration
Одинарный
:Диапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода
2%
:Количество элементов на ИС
1
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальное рассеяние мощности
200 mW
:Максимальный обратный ток утечки
4.5мкА
:Производитель
ON Semiconductor
:Тип монтажа
Surface Mount