:Id - непрерывный ток утечки
115 mA
:Pd - рассеивание мощности
360 mW
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7.5 Ohms
:Transistor Mounting
Surface Mount
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
:Канальный режим
Enhancement
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество Выводов
3вывод(-ов)
:Количество каналов
1 Channel
:Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
80 mS
:Максимальная рабочая температура
150 C
:Минимальная рабочая температура
55 C
:Напряжение Измерения Rds(on)
10В
:Напряжение Истока-стока Vds
60В
:Непрерывный Ток Стока
115мА
:Полярность транзистора
N Канал
:Пороговое Напряжение Vgs
2.5В
:Продукт
MOSFET Small Signal
:Размер фабричной упаковки
3000
:Рассеиваемая мощность
360мВт
:Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
7.5Ом
:Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
:Тип транзистора
1 N-Channel
:Типичное время задержки выключения
20 ns
:Типичное время задержки при включении
20 ns
:Торговая марка
Microchip Technology
:Упаковка / блок
SOT-23-3