Id - непрерывный ток утечки
115 mA
Pd - рассеивание мощности
360 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7.5 Ohms
Transistor Mounting
Surface Mount
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Количество каналов
1 Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
80 mS
Максимальная рабочая температура
150 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
115мА
Полярность транзистора
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
2.5В
Продукт
MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки
3000
Рассеиваемая мощность
360мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
7.5Ом
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки при включении
20 ns
Торговая марка
Microchip Technology
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 60V 7.5Ohm