2N7000-G, N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92

Модель:

2N7000-G

Артикул:

8001877541

Наличие:

1000

Производитель:

Microchip Technology

31 ₽

1 шт

Описание

Доставка

Оплата

Default

:Характеристики

PCN Packaging:http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD

Характеристики

:Base Product Number

2N7000 -&gt,

:Brand

Microchip

:Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

200mA (Tj)

:Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

:Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

:ECCN

EAR99

:FET Type

N-Channel

:Forward Diode Voltage

0.85V

:Height

5.33мм

:HTSUS

8541.29.0095

:Id - непрерывный ток утечки

200 mA

:Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

:Length

5.08mm

:Maximum Continuous Drain Current

200 мА

:Maximum Drain Source Resistance

5.3 Ω

:Maximum Drain Source Voltage

60 В

:Maximum Gate Source Voltage

30 V

:Maximum Power Dissipation

1 Вт

:Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

:Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

:Mounting Type

Through Hole

:Number of Elements per Chip

:Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

:Package

Bulk

:Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

:Package Type

TO-92

:Pd - рассеивание мощности

400 mW

:Pin Count

:Power Dissipation (Max)

1W (Tc)

:Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

:Rds Вкл - сопротивление сток-исток

5 Ohms

:REACH Status

REACH Unaffected

:RoHS Status

ROHS3 Compliant

:Series

2N7000

:Supplier Device Package

TO-92-3

:Technology

MOSFET (Metal Oxide)

:Transistor Configuration

Одинарный

:Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

:Vgs (Max)

В30V

:Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

:Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

:Вид монтажа

Through Hole

:Высота

5.33 mm

:Длина

5.21 mm

:Канальный режим

Enhancement

:Категория продукта

МОП-транзистор

:Количество каналов

1 Channel

:Количество элементов на ИС

:Конфигурация

Single

:Конфигурация транзистора

Одинарный

:Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

100 mmho

:Максимальная рабочая температура

+150 C

:Максимальное напряжение затвор-исток

30 В

:Максимальное напряжение сток-исток

60 В

:Максимальное пороговое напряжение включения

:Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

:Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

:Минимальная рабочая температура

-55 C

:Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

:Номер канала

Поднятие

:Подкатегория

MOSFETs

:Полярность транзистора

N-Channel

:Прямое напряжение диода

0.85V

:Размер фабричной упаковки

1000

:Серия

2N7000

:Страна происхождения

:Технология

:Тип канала

:Тип корпуса

TO-92

:Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

:Тип продукта

MOSFET

:Тип транзистора

1 N-Channel

:Торговая марка

Microchip Technology

:Упаковка

Bulk

:Упаковка / блок

TO-92-3

:Число контактов

:Ширина

4.06mm

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

2N7000-G, N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?