:Current Transfer Ratio Test Current (mA)
10
:Maximum Collector Current (mA)
100
:Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV)
300
:Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
:Maximum Current Transfer Ratio
100 (Minimum)%
:Maximum Forward Current (mA)
60
:Maximum Forward Voltage (V)
1.5
:Maximum Input Current
60 mA
:Maximum Operating Temperature (C)
100
:Maximum Power Dissipation (mW)
350
:Maximum Reverse Voltage (V)
6
:Minimum Current Transfer Ratio (%)
100
:Minimum Isolation Voltage (Vrms)
3550
:Minimum Operating Temperature (C)
-55
:Mounting Type
Поверхностный монтаж
:Number of Channels per Chip
1
:Output Device
Transistor With Base
:Pd - рассеивание мощности
350 mW
:Special Features
Dual-In-Line SMD Package, High Isolation Voltage
:Standard Package Name
DIP
:Supplier Package
PDIP SMD
:Typical Forward Voltage (V)
1.2
:Vf - прямое напряжение
1.5 V
:Vr - обратное напряжение
6 V
:Категория продукта
Транзисторные выходные оптопары
:Коэффициент передачи по току
100 %
:Максимальная рабочая температура
+ 100 C
:Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
30 V
:Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
:Максимальное прямое напряжение
1.5V
:Максимальный коллекторный ток
100 mA
:Напряжение изоляции
3550 Vrms
:Тип входного тока
Пост. ток