Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0.625
Напряжение отсечки (Vgs off), В
0.5…3
Напряжение пробоя (V(br)gss), В
35
Рабочая температура (Tj), C
-55…+150
Сопротивление канала (RDS(On)), Ом
100(max)
Ток утечки (Idss), мА
2(min)
N-канальный JFET, Fairchild Semiconductor