:Id - непрерывный ток утечки
50 A
:Pd - рассеивание мощности
400 W
:Qg - заряд затвора
78 nC
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
60 mOhms
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
250 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
:Вид монтажа
Through Hole
:Канальный режим
Enhancement
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество каналов
1 Channel
:Коммерческое обозначение
HiPerFET
:Максимальная рабочая температура
+ 150 C
:Минимальная рабочая температура
55 C
:Полярность транзистора
N-Channel
:Размер фабричной упаковки
50