Id - непрерывный ток утечки
50 A
Pd - рассеивание мощности
400 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
60 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
250 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
50
МОП-транзистор 50 Amps 250V 50 Rds