IXFN73N30, Дискретные полупроводниковые модули 300V 73A

Производитель: IXYS
Категория продукта: Дискретные полупроводниковые модули
Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Вид монтажа: Chassis Mount
Упаковка / блок: SOT-227-4
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Серия: HiPerFET
Упаковка: Tube
Конфигурация: Single
Высота: 9.6 mm
Длина: 38.23 mm
Технология: Si
Ширина: 25.42 mm
Торговая марка: IXYS
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Время спада: 50 ns
Id - непрерывный ток утечки: 73 A
Pd - рассеивание мощности: 520 W
Тип продукта: Discrete Semiconductor Modules
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 45 mOhms
Время нарастания: 80 ns
Размер фабричной упаковки: 10
Подкатегория: Discrete Semiconductor Modules
Коммерческое обозначение: HyperFET
Типичное время задержки выключения: 100 ns
Типичное время задержки при включении: 30 ns
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 300 V
Вес изделия: 30 g

• Доставка товара:
• Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
• Вес груза: 1 кг
• Объем груза: 0.1 м³
• Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата 

• Порядок работы:
• Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
• Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
• Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
• После оплаты товар отправляется на склад.
• Порядок оплаты:
• 100% предоплата на счет Поставщика.
• Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.