Корпус:
soic-8 (0.154 inch)
Логическое напряжение (VIH), В:
2.4
Логическое напряжение (VIL), В:
0.8
Напряжение питания, В:
4.5…30
Номинальное время затухания (Fall Time), нс:
8
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс:
10
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А:
1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А:
1.5
Рабочая температура, C:
-55…+150 (TJ)
Тип входа:
неинвертирующий
Тип управляемого затвора:
N/P-CH MOSFET