Корпус
DIP-8 (0.300 inch)
Логическое напряжение (VIH), В
2.5
Логическое напряжение (VIL), В
0.8
Максимальное напряжение смещения, В
200
Напряжение питания, В
10…20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
35
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
70
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
0.29
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
0.6
Рабочая температура, C
-40…+150 (TJ)
Тип входа
неинвертирующий
Тип управляемого затвора
IGBT, N-CH MOSFET
MOSFET, amp, Драйверы затвора IGBT, полумост, Infineon
ИС драйверов затвора от Infineon для управления силовыми устройствами MOSFET или IGBT в полумостовых конфигурациях.