:Конфигурация
half-bridge
:Корпус
DIP-8 (0.300 inch)
:Логическое напряжение (VIH), В
2.5
:Логическое напряжение (VIL), В
0.8
:Максимальное напряжение смещения, В
200
:Напряжение питания, В
10…20
:Номинальное время затухания (Fall Time), нс
35
:Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
70
:Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
0.29
:Пиковый выходной ток спада (Sink), А
0.6
:Рабочая температура, C
-40…+150 (TJ)
:Тип входа
неинвертирующий
:Тип управляемого затвора
IGBT, N-CH MOSFET