Характеристики
Конфигурация:
half-bridge
Корпус:
DIP-8 (0.300 inch)
Логическое напряжение (VIH), В:
2.5
Логическое напряжение (VIL), В:
0.8
Максимальное напряжение смещения, В:
200
Напряжение питания, В:
10…20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс:
35
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс:
70
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А:
0.29
Пиковый выходной ток спада (Sink), А:
0.6
Рабочая температура, C:
-40…+150 (TJ)
Тип входа:
неинвертирующий
Тип управляемого затвора:
IGBT, N-CH MOSFET
MOSFET, amp, Драйверы затвора IGBT, полумост, Infineon
ИС драйверов затвора от Infineon для управления силовыми устройствами MOSFET или IGBT в полумостовых конфигурациях.
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.