Maximum Continuous Drain Current
8,1 А
Maximum Drain Source Resistance
180 мΩ
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Operating Temperature
+175 C
Maximum Power Dissipation
30 Вт
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Минимальная рабочая температура
-55 C
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.