Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс
80
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс
190
Импульсный ток коллектора (Icm), А
360
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
750
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Максимальный ток КЭ при 25C, A
240
Наличие встроенного диода
да
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.05
Рабочая температура (Tj), C
-55…+175
Технология/семейство
gen 6.2
Один IGBT более 21 А, Infineon
Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и обеспечивающие пользователю наивысшую доступную эффективность. Использование диодов FRED, оптимизированных для обеспечения наилучших характеристик с IGBT, возможно.