Консультация по телефону +7 (343) 302-00-16
с 9:00 до 20:00
Без выходных
0
Корзина
Сумма:0
Корзина пуста
Каталог > 15 000 товаров
Каталог > 15 000 товаров
Сумма:0
Корзина пуста
[]
5 отзывов

IRGP50B60PD1PBF, Транзистор, IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]

Модель:
IRGP50B60PD1PBF
Артикул:
299136564
Наличие:
1000
Производитель:
Infineon Technologies
660 ₽
1 шт
Варианты доставки
  • г. Москва – 4 дня
  • г. Санкт‑Петербург – 5 дней
  • г. Новосибирск – 3 дня
Характеристики
Описание
Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс
30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс
130
Импульсный ток коллектора (Icm), А
150
Корпус
to-247ac
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
390
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Максимальный ток КЭ при 25C, A
75
Наличие встроенного диода
да
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.85
Рабочая температура (Tj), C
-55…+150
Технология/семейство
npt

Транзистор IRGP50B60PD – 600-вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED® диодом. Транзистор входит в семейство WARP2™ транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150 кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12 кВт. Встроенный диод обеспечивает возможность работы с гораздо более высокими токами обратного восстановления.

Типовыми приложениями для IGBT-транзистора являются мощные корректоры коэффициента мощности, источники бесперебойного питания с мостовой схемой первичной цепи, промышленные импульсные источники питания и инверторные сварочные аппараты. Для реализации мощных AC-DC преобразователей с высокой плотностью энергии, применяемых в серверах и источниках питания телекоммуникационного оборудования, требуются высокоэффективные и надежные силовые ключевые приборы. WARP2 IGBT наиболее полно отвечают этим требованиям благодаря низким потерям при выключении и очень короткому времени спада при выключении (так называемый «хвост»), что обеспечивает более высокую эффективность в сравнении с конкурентными приборами.

Благодаря втрое меньшей толщине кристалла и более чем вдвое более высокой удельной плотности тока WARP2 IGBT обеспечивают гораздо более высокий ток и лучшие тепловые характеристики при равной с мощными полевыми транзисторами площади кристалла. При этом они, как и мощные МОП-транзисторы, обладают одной из важных положительных особенностей - самовыравниванию токов в транзисторах при параллельном соединении благодаря положительному тепловому коэффициенту сопротивления канала. 600-вольтовый транзистор в корпусе ТО-247 нормирован на токи коллектора 75 и 45 А соответственно (при 25 и 100°C) и токи диода 65 и 25 А (при тех же температурах). Падение на открытом транзисторе не превышает 2 В при токе коллектора 33 А. IGBT транзистор является отличной альтернативой 50-60 А МОП-транзисторам по критерию качество/цена.



Не нашли то, что искали? Оставьте заявку и мы постараемся дать Вам лучшее предложение на рынке на данный товар
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка
От 1 дня
Овердрафт
Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.
Гарантия
Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*
Подбор аналогов
Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги
Хотите узнать о скидках оптовых покупателям или мы поможем подобрать товар?
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности