Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс
50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс
210
Импульсный ток коллектора (Icm), А
120
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи
1200
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо м
1200
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
300
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Максимальный ток КЭ при 25C, A
60
Наличие встроенного диода
да
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
4
Рабочая температура (Tj), C
-55…+150
Структура
npn, n-канал+диод
Co-Pack IGBT более 21A, Infineon
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику широкий спектр возможностей для обеспечения защиты вашего приложения. Высокий коэффициент полезного действия позволяет использовать этот диапазон IGBT в самых разных приложениях и может поддерживать различные частоты переключения благодаря низким коммутационным потерям.