Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс
32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс
845
Импульсный ток коллектора (Icm), А
114
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
200
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Максимальный ток КЭ при 25C, A
57
Наличие встроенного диода
нет
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.7
Рабочая температура (Tj), C
-55…+150
Технология/семейство
gen4
Один IGBT более 21 А, Infineon
Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и обеспечивающие пользователю наивысшую доступную эффективность. Использование диодов FRED, оптимизированных для обеспечения наилучшей производительности с IGBT.