Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс
46
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс
97
Импульсный ток коллектора (Icm), А
82
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
160
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Максимальный ток КЭ при 25C, A
41
Наличие встроенного диода
да
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
3.1
Рабочая температура (Tj), C
-55…+150
Технология/семейство
gen4
Co-Pack IGBT более 21A, Infineon
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику широкий спектр возможностей для обеспечения защиты вашего приложения. Высокий коэффициент полезного действия позволяет использовать этот диапазон IGBT в самых разных приложениях и может поддерживать различные частоты переключения благодаря низким коммутационным потерям.