Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс
25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс
99
Импульсный ток коллектора (Icm), А
92
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
100
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Максимальный ток КЭ при 25C, A
23
Наличие встроенного диода
нет
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.7
Рабочая температура (Tj), C
-55…+150
Технология/семейство
gen4
Один IGBT до 20 А, Infineon
Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом, которые обеспечивают пользователю наивысшую доступную эффективность. В этих устройствах используются диоды FRED, оптимизированные для обеспечения наилучшей производительности с IGBT.