Характеристики
Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс:
42
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс:
230
Импульсный ток коллектора (Icm), А:
124
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт:
100
Максимальное напряжение КЭ ,В:
600
Максимальный ток КЭ при 25C, A:
31
Наличие встроенного диода:
да
Напряжение насыщения при номинальном токе, В:
1.8
Рабочая температура (Tj), C:
-55…+150
Технология/семейство:
gen4
Управляющее напряжение,В:
6
IRG4BC30FDPBF - это биполярный транзистор с изолированным затвором и сверхбыстрым диодом с мягким восстановлением. Он оптимизирован для средних рабочих частот от 1 до 5 кГц при жестком переключении,, gt, 20 кГц в резонансном режиме. Конструкция IGBT поколения 4 обеспечивает более точное распределение параметров и более высокую эффективность, чем поколение 3. IGBT совместно со сверхбыстрыми антипараллельными диодами с ультра-мягким восстановлением HEXFRED® для использования в мостовых конфигурациях. Диоды HEXFRED® оптимизированы для работы с IGBT. Минимальные характеристики восстановления требуют меньшего или полного отсутствия демпфирования.
• Оптимизирован для конкретных условий применения
• Разработан как незаменимая замена эквивалентным отраслевым стандартам IR IGBT поколения 3
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.