Характеристики
:Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс
42
:Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс
230
:Импульсный ток коллектора (Icm), А
124
:Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
100
:Максимальное напряжение КЭ ,В
600
:Максимальный ток КЭ при 25C, A
31
:Наличие встроенного диода
да
:Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.8
:Рабочая температура (Tj), C
-55…+150
:Технология/семейство
gen4
:Управляющее напряжение,В
6
IRG4BC30FDPBF - это биполярный транзистор с изолированным затвором и сверхбыстрым диодом с мягким восстановлением. Он оптимизирован для средних рабочих частот от 1 до 5 кГц при жестком переключении,, gt, 20 кГц в резонансном режиме. Конструкция IGBT поколения 4 обеспечивает более точное распределение параметров и более высокую эффективность, чем поколение 3. IGBT совместно со сверхбыстрыми антипараллельными диодами с ультра-мягким восстановлением HEXFRED® для использования в мостовых конфигурациях. Диоды HEXFRED® оптимизированы для работы с IGBT. Минимальные характеристики восстановления требуют меньшего или полного отсутствия демпфирования.
• Оптимизирован для конкретных условий применения
• Разработан как незаменимая замена эквивалентным отраслевым стандартам IR IGBT поколения 3
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.