Id - непрерывный ток утечки
50 A
Pd - рассеивание мощности
150 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
28 mOhms
Transistor Mounting
Through Hole
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Количество каналов
1 Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
15 S
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
50А
Полярность транзистора
N-Channel
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Размер фабричной упаковки
50
Рассеиваемая мощность
150Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.028Ом
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220AB
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
45 ns
Типичное время задержки при включении
14 ns
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор