Консультация по телефону 8 (343) 302-00-16
с 9:00 до 20:00
Без выходных
0
cart
Корзина
Сумма:0
Корзина пуста
Каталог > 15 000 товаров
Найти
Каталог > 15 000 товаров
Сумма:0
Корзина пуста
[]
5 отзывов

IRFZ44NLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 55В, 49А, 110Вт, TO262

Модель:
IRFZ44NLPBF
Артикул:
8002637766
Наличие:
1000
Производитель:
Infineon Technologies
170 ₽
1 шт
Варианты доставки
  • г. Москва – 4 дня
  • г. Санкт‑Петербург – 5 дней
  • г. Новосибирск – 3 дня
Характеристики
Описание
Доставка
Оплата
Характеристики
Base Product Number:
IRFZ44 -&gt,
Brand:
Infineon
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:
49A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss):
55V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
ECCN:
EAR99
FET Type:
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
63nC @ 10V
Height:
10.54мм
HTSUS:
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1470pF @ 25V
Length:
10.54мм
Maximum Gate Threshold Voltage:
4V
Maximum Operating Temperature:
+175 C
Maximum Power Dissipation:
3,8 Вт
Moisture Sensitivity Level (MSL):
1 (Unlimited)
Mounting Type:
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature:
-55ВC ~ 175ВC (TJ)
Package:
Tube
Package / Case:
TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
Power Dissipation (Max):
3.8W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
17.5mOhm @ 25A, 10V
REACH Status:
REACH Unaffected
RoHS Status:
ROHS3 Compliant
Series:
HEXFET
Supplier Device Package:
TO-262
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Transistor Material:
Кремний
Vgs (Max):
В20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250ВA
Вес, г:
1.58
Количество элементов на ИС:
1
Конфигурация транзистора:
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение сток-исток:
55 В
Максимальное сопротивление сток-исток:
17,5 мΩ
Максимальный непрерывный ток стока:
49 А
Минимальная рабочая температура:
-55 C
Минимальное пороговое напряжение включения:
2V
Номер канала:
Поднятие
Тип канала:
N
Тип корпуса:
I2PAK (TO-262)
Типичный заряд затвора при Vgs:
63 нКл при 10 В
Число контактов:
3
Ширина:
4.69мм
N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
  • Доставка товара:
    • Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
    • Вес груза: 1 кг
    • Объем груза: 0.1 м³
  • Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата 
  • Порядок работы:
    • Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
    • Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
    • Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
    • После оплаты товар отправляется на склад.
  • Порядок оплаты:
    • 100% предоплата на счет Поставщика.
    • Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.
Не нашли то, что искали? Оставьте заявку и мы постараемся дать Вам лучшее предложение на рынке на данный товар
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка
Описание большое в несколько строчек
Овердрафт
Описание большое в несколько строчек
Гарантия
Описание большое в несколько строчек
Подбор аналогов
Описание большое в несколько строчек
Хотите узнать о скидках оптовых покупателям или мы поможем подобрать товар?
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности