Base Product Number
IRFZ44 ->,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
49A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1470pF @ 25V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Operating Temperature
+175 C
Maximum Power Dissipation
3,8 Вт
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature
-55ВC ~ 175ВC (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 25A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-262
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Transistor Material
Кремний
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВA
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Максимальное сопротивление сток-исток
17,5 мΩ
Максимальный непрерывный ток стока
49 А
Минимальная рабочая температура
-55 C
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Тип корпуса
I2PAK (TO-262)
Типичный заряд затвора при Vgs
63 нКл при 10 В
N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.