Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Transistor Configuration
Одинарный
Категория
Мощный МОП-транзистор
Количество элементов на ИС
1
Крутизна характеристики S,А/В
19
Максимальная рабочая температура
+175 C
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
94
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
55
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Максимальное рассеяние мощности
94 W
Максимальное сопротивление сток-исток
17.5 mΩ
Максимальный непрерывный ток стока
49 A
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
49
Минимальная рабочая температура
-55 C
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
17.5
Температура, С
-55...+175
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Типичная входная емкость при Vds
1470 pF@ 25 V
Типичное время задержки включения
12 нс
Типичное время задержки выключения
44 нс
Типичный заряд затвора при Vgs
63 nC @ 10 V
MOSFET, N, 55V, 41A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 41A Resistance, Rds On 0.024ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 160A Device Marking IRFZ44NPBF Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Pin Format 1 g 2 d/tab 3 s Power Dissipation 83W Power, Pd 83W Temperature, Current 25C Temperature, Full Power Rating 25C Thermal Resistance, Junction to Case A 1.8C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 55V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 49 А, Сопротивление открытого канала (мин) 17.5 мОм