:Base Product Number
IRFB7787 ->,
:Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
76A (Tc)
:Drain to Source Voltage (Vdss)
75V
:Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
:Forward Diode Voltage
1.2V
:Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
109nC @ 10V
:Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4020pF @ 25V
:Maximum Drain Source Voltage
75 В
:Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
:Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
:Maximum Operating Temperature
+175 C
:Maximum Power Dissipation
125 Вт
:Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
:Minimum Operating Temperature
-55 C
:Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
:Mounting Type
Through Hole
:Operating Temperature
-55ВC ~ 175ВC (TJ)
:Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
:Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 46A, 10V
:REACH Status
REACH Unaffected
:RoHS Status
ROHS3 Compliant
:Series
HEXFETВ, StrongIRFETв„ў ->,
:Supplier Device Package
TO-220AB
:Technology
MOSFET (Metal Oxide)
:Transistor Configuration
Одинарный
:Typical Gate Charge @ Vgs
73 нКл при 10 В
:Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 100ВA
:Категория
Мощный МОП-транзистор
:Количество элементов на ИС
1
:Конфигурация транзистора
Одинарный
:Максимальная рабочая температура
+175 C
:Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
:Максимальное напряжение сток-исток
75 V
:Максимальное рассеяние мощности
125 W
:Максимальное сопротивление сток-исток
8,4 мΩ
:Максимальный непрерывный ток стока
76 A
:Материал транзистора
Кремний
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Прямая активная межэлектродная проводимость
154s
:Прямое напряжение диода
1.2V
:Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Типичная входная емкость при Vds
4020 пФ при 25 В
:Типичное время задержки включения
11 ns
:Типичное время задержки выключения
51 нс
:Типичный заряд затвора при Vgs
73 нКл при 10 В