IRFB7787PBF, Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Модель:

IRFB7787PBF

Артикул:

8003198203

Наличие:

1000

Производитель:

Infineon Technologies

63 ₽

1 шт

Характеристики

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

Base Product Number:

IRFB7787 -&gt,

Brand:

Infineon

Channel Mode:

Поднятие

Channel Type:

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:

76A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss):

75V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):

6V, 10V

ECCN:

EAR99

FET Type:

N-Channel

Forward Diode Voltage:

1.2V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:

109nC @ 10V

HTSUS:

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:

4020pF @ 25V

Length:

10.67мм

Maximum Drain Source Voltage:

75 В

Maximum Gate Source Voltage:

-20 В, +20 В

Maximum Gate Threshold Voltage:

3.7V

Maximum Operating Temperature:

+175 C

Maximum Power Dissipation:

125 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage:

2.1V

Minimum Operating Temperature:

-55 C

Moisture Sensitivity Level (MSL):

1 (Unlimited)

Mounting Type:

Through Hole

Operating Temperature:

-55ВC ~ 175ВC (TJ)

Package:

Tube

Package / Case:

TO-220-3

Package Type:

TO-220AB

Pin Count:

Power Dissipation (Max):

125W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

8.4mOhm @ 46A, 10V

REACH Status:

REACH Unaffected

RoHS Status:

ROHS3 Compliant

Series:

HEXFETВ, StrongIRFETв„ў -&gt,

Supplier Device Package:

TO-220AB

Technology:

MOSFET (Metal Oxide)

Transistor Configuration:

Одинарный

Typical Gate Charge @ Vgs:

73 нКл при 10 В

Vgs (Max):

В20V

Vgs(th) (Max) @ Id:

3.7V @ 100ВA

Высота:

16.51мм

Длина:

10.67мм

Категория:

Мощный МОП-транзистор

Количество элементов на ИС:

Конфигурация транзистора:

Одинарный

Максимальная рабочая температура:

+175 C

Максимальное напряжение затвор-исток:

-20 В, +20 В

Максимальное напряжение сток-исток:

75 V

Максимальное рассеяние мощности:

125 W

Максимальное сопротивление сток-исток:

8,4 мΩ

Максимальный непрерывный ток стока:

76 A

Материал транзистора:

Кремний

Минимальная рабочая температура:

-55 C

Номер канала:

Поднятие

Производитель:

Infineon

Прямая активная межэлектродная проводимость:

154s

Прямое напряжение диода:

1.2V

Размеры:

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Серия:

HEXFET

Тип канала:

Тип корпуса:

TO-220AB

Тип монтажа:

Монтаж на плату в отверстия

Типичная входная емкость при Vds:

4020 пФ при 25 В

Типичное время задержки включения:

11 ns

Типичное время задержки выключения:

51 нс

Типичный заряд затвора при Vgs:

73 нКл при 10 В

Число контактов:

Ширина:

4.83мм

Semiconductor - Discrete >, Transistors >, FET - MOSFET N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Доставка товара:

Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
Вес груза: 1 кг
Объем груза: 0.1 м³

Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата

Порядок работы:

Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
После оплаты товар отправляется на склад.

Порядок оплаты:

100% предоплата на счет Поставщика.
Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

IRFB7787PBF, Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?